溅射镀膜技能是用离子炮击靶材外表，溅射发生的原子堆积在基体外表构成PVD涂层。通常是运用气体放电发生气体电离，其正离子在电场效果下高速炮击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体外表堆积成PVD涂层。磁控溅射镀膜技能是在溅射镀膜基础上开展而来，与溅射镀膜比较，堆积速率更快，涂层致密且与基体附着性好，适合大批量PVD涂层出产。

 

　一、平衡磁控溅射镀膜技能

 

这是传统的磁控溅射镀膜技能，将永磁体或电磁线圈放到在靶材背后，在靶材外表会构成与电场方向垂直的磁场。在高压效果下氩气电离成等离子体，Ar+离子经电场加快炮击阴极靶材，靶材二次电子被溅射出，且电子在彼此垂直的电场及磁场效果下，被束缚在阴极靶材外表附近，增加了电子与气体碰撞的几率，即增加了氩气电离率，使氩气在低气体下也可维持放电，因而磁控溅射既降低了溅射气体压力，同时也提高了溅射功率及堆积速率。

 

但传统磁控溅射有一些缺点，比方：低气压放电发生的电子和戳射出的靶材二次电子都被束缚在靶面附近大约60mm的区域内，这样工件只能被安放在靶外表50~100mm的范围内。这样小的镀膜区间约束了待镀工件的尺度，较大的工件或装炉量不适合传统办法。

 

二、非平衡磁控溅射镀膜技能

 

这种磁控溅射镀膜办法部分解决了平衡磁控溅射的缺乏，是将靶面的等离子体引到靶前200~300mm的范围内，使阳极基片沉浸在等离子体中，减少了粒子移动的间隔，离子束起到辅助堆积的效果。然而独自的非平衡磁控靶在基片上很难堆积出均匀的薄膜层，因而开宣布多靶非平衡磁控溅射镀膜技能，弥补了单靶非平衡磁控溅射的缺乏。

 

三、反响磁控溅射镀膜技能

 

随着外表工程技能的开展，越来越多地用到各种化合物薄膜资料。可以直接运用化合物资料制作的靶材经过溅射来制备化合物薄膜，也可在溅射金属或合金靶材时，通人必定的反响气体，经过发生化学反响制备化合物薄膜，后者被称为反响磁控溅射。一般来说纯金属作为靶材和气体反响较容易得到高质量的化合物薄膜，因而大多数化合物薄膜是用纯金属为靶材的反响溅磁控射来制备的。

 

四、中频磁控溅射镀膜技能

 

这种镀膜办法是将磁控溅射电源由传统的直流改为中频交流电源。在溅射过程中，当体系所加电压处在交流电负半周期时，靶材被正离子炮击而溅射，而处于正半周期时，靶材外表被等离子体中的电子炮击而溅射，同时靶材外表累积的正电荷被中和，打弧现象得到抑制。中频磁控溅射电源的频率通常在10-80kHz之间，频率高，正离子被加快的时间就短，炮击靶材时的能量就低，溅射堆积速率随之下降。中频磁控溅射体系一般有两个靶，这两个靶周期性轮流作为阴极和阳极，一方面减小了基体溅伤；另一方面也弱化了打弧现象。

 

上述即是磁控溅射镀膜代表性办法有哪些的大致介绍，可以看出，磁控溅射镀膜技能经过长时间开展，衍生出许多分支，构成不同的特征，也因而得到更广泛的使用，制备的PVD涂层性能更好。